Наименование прибора: IRFUC20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18(max) nC

Время нарастания (tr): 23 ns

Выходная емкость (Cd): 48 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналоги: STD2HNK60Z-1