Наименование прибора: SP8M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 3.9 nC

Время нарастания (tr): 8 ns

Выходная емкость (Cd): 80 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.051 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналоги: SP8M3TB, SP8M3FU6TB, IRF7319, AF4502C, По некоторым данным могут быть заменителями или аналогами: AO4600, AO4606, KDS4559, FDS8958, IRF7319, IRF7343, IRF7389, IRF7309, Nikos P2103NV, AO4406 4825 4336 4413 4835B 4835D 4808B MOS AO4406 4825 4336 4413 4835B 4835D